上海大学学报(自然科学版) ›› 2012, Vol. 18 ›› Issue (3): 277-281.doi: 10.3969/j.issn.1007-2861.2012.03.012
李鹏荣,吴伟,马忠权,王义飞
LI Peng-rong,WU Wei,MA Zhong-quan,WANG Yi-fei
摘要: 在现有大规模太阳能电池生产工艺的基础上,改变扩散工艺条件,制备一系列的方块电阻发射极.在未改变其他工艺参数的条件下,当发射极方块电阻升高时,短路电流持续上升,开路电压在接近70 Ω/□时接近饱和,而填充因子(fill factor,FF)则因串联电阻的增加呈下降趋势.器件的效率在70 Ω/□方阻发射极时达到最大值.通过光致发光图(photoluminescence, PL)比较方阻为50和70 Ω/□发射极的吸杂效果,结果说明,在磷扩散过程中,硅片的晶粒、晶界以及位错区域的吸杂效果都非常明显,且50 Ω/□发射极硅片的吸杂效果略优于70 Ω/□的硅片.
中图分类号: