上海大学学报(自然科学版) ›› 2013, Vol. 19 ›› Issue (6): 567-571.doi: 10.3969/j.issn.1007-2861.2013.06.004
邹荣1, 闵嘉华1, 储楚2, 梁小燕1, 张涛1, 滕家琪1
ZOU Rong1, MIN Jia-hua1, CHU Chu2, LIANG Xiao-yan1, ZHANG Tao1, TENG Jia-qi1
摘要: 为提高0.35 μm 30_40_50 V BCD (bipolar-CMOS-DMOS)工艺下50 V HVPMOS 的电学性能, 在不改变工艺流程的基础上, 仅通过微调器件结构尺寸来实现电学性能的优化. 采用Silvaco 公司的工艺与器件模拟软件,仿真分析了沟道长度、overlap 尺寸、场氧化层长度及场极板长度对50 V HVPMOS 器件电学性能的影响. 根据仿真结果确定了优化后的结构尺寸, 并结合流片测试结果验证了优化方案的可行性. 测试结果表明, 优化后50 V HVPMOS 的开启电压降低到了–0.98 V, 击穿电压提高到了–68 V, 特征导通电阻降低了13.5%, 饱和电流提高了13.1%, 器件的安全工作范围增大, 饱和区更加平滑, 无明显kink 效应.
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