上海大学学报(自然科学版) ›› 2012, Vol. 18 ›› Issue (3): 327-330.doi: 10.3969/j.issn.1007-2861.2012.03.021
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於凡枫,金晶,史伟民,瞿晓雷,许月阳
YU Fan-feng,JIN Jing,SHI Wei-min,QU Xiao-lei,XU Yue-yang
摘要: 介绍一种使用快速热退火设备,经多次循环退火诱导,在普通玻璃衬底上生长非晶硅薄膜晶化的实验方法.利用拉曼(Raman)光谱、原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)、紫外可见分光光度计(UV-VIS spectrophotometer)和霍尔(Hall)测试系统对薄膜的结构、形貌及电子迁移率进行测试.结果表明,当退火温度达到680 ℃时,薄膜开始出现晶化现象;随着快速热退火次数的增加,拉曼光谱在500 cm-1处测得多晶硅特征峰;在循环退火5次后,其最佳晶化率达到71.9%,光学带隙下降,晶粒增大,载流子迁移率提高.
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