上海大学学报(自然科学版) ›› 2025, Vol. 31 ›› Issue (1): 115-121.doi: 10.12066/j.issn.1007-2861.2503
瞿天睿1, 韩 超1, 高 波1, 白传易1, 李敏娟1,彭思思1,2, 周迪帆1, 蔡传兵1
QU Tianrui1, HAN Chao1, GAO Bo1, BAI Chuanyi1, LI Minjuan1,Peng Sisi1,2, ZHOU Difan1, CAI Chuanbing1
摘要: 采用离子束辅助沉积 (ion beam-assisted deposition, IBAD) 技术在非织构的金属基带上沉积双轴织构的 MgO 薄膜, 研究了不同 Ar+ 离子束流能量对 MgO 双轴织构和表面形貌的影响. 结果表明: 在 700∼1 000 eV 离子能量范围内, MgO 薄膜的双轴织构随离子能量的增加而改善; 在 1 000 eV 离子能量下, IBAD-MgO 薄膜的面内半高全宽 (full-width at half-maximum, FWHM) ∆ϕ 和面外 FWHM ∆ω 分别为 6◦ 和 2◦; 随着离子能量的增加, MgO 薄膜的表面形貌并无明显区别, 其表面粗糙度(5 µm×5 µm) 均方根(root mean square, RMS) 均在 5∼6 nm. 该研究证明了较高的 Ar+ 离子束能量可以提高 IBAD-MgO 薄膜的织构质量, 对于双轴织构薄膜的稳定制备具有重要意义.
中图分类号: