摘要:
传统的浪涌保护电路对元器件的功率等级要求较高,导致整个电路结构的性能降低, 硬件成本提高.设计了一种低成本带吸收电容防浪涌的电路.通过理论分析、软件仿真以及实验测试证明了该电路结构采用更低功率等级的金属-氧化物半场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET), 能在降低浪涌保护电路成本的同时,提升浪涌电路电压等级以及电路的稳定性.
中图分类号:
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