上海大学学报(自然科学版) ›› 2010, Vol. 16 ›› Issue (4): 436-440.
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伍丽,史伟民,张兆春,秦娟,王林军,魏光普,夏义本
WU Li,SHI Wei-min,ZHANG Zhao-chun,QIN Juan,WANG Lin-jun,WEI Guang-pu,XIA Yi-ben
摘要:
利用n型氧化锌和p型硫化亚锡制备ITO/ZnO/SnS/Al结构的pn结太阳能电池.首先采用射频磁控溅射法在ITO衬底上制备ZnO薄膜,再用真空蒸发镀膜法沉积SnS薄膜以形成异质结,并利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)光谱、透射光谱和I-V曲线来表征薄膜和器件的性能.讨论在不同溅射功率和工作气压下制备的ZnO薄膜对光吸收情况和所形成异质结器件的影响,测量不同沉积时间制备的ZnO薄膜相应的器件的开路电压、短路电流密度和填充因子.结果表明,当工作气压和溅射功率分别为0.2 Pa和150 W,沉积时间为40 min时得到的ZnO薄膜能获得较好的异质结且器件的性能达到最优化.该最优器件的短路电流密度JSC为1.38 mA·cm-2,开路电压VOC为0.42 V,填充因子FF为0.40.
中图分类号: