上海大学学报(自然科学版) ›› 2023, Vol. 29 ›› Issue (2): 345-.doi: 10.12066/j.issn.1007-2861.2329
董越,雷红,刘文庆
DONG Yue, LEI Hong, LIU Wenqing
摘要: 通过阴离子诱导辅助生长法制备哑铃形氧化硅磨粒, 并对哑铃形氧化硅磨粒进行表征, 研究该磨粒对氧化锆陶瓷化学机械抛光 (chemical mechanical polishing, CMP) 性能的影响. 实验结果表明: 哑铃形氧化硅磨粒稳定性好、分散性好, 具有优异的化学机械抛光性能. 与球 形氧化硅磨粒相比, 用哑铃形氧化硅磨粒对氧化锆陶瓷抛光时, 材料去除率提高 39%, 抛光后 陶瓷表面平整光滑, 表面粗糙度为 1.960 nm. 这是因为哑铃形氧化硅磨粒抛光液润湿性好, 可 以与氧化锆陶瓷表面充分接触, 有利于固相化学反应的发生. 此外, 哑铃形氧化硅磨粒的摩擦 系数更大, 这使得机械效应显著增强.
中图分类号: