应用科学学报

三热源热泵的最优性能

严子浚, 陈金灿

1989, 7(1): 1-6.

摘要 ( 312 )

PDF (404KB) ( 74 )

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本文研究仅受传热不可逆影响的一类三热源热泵,证明了其中以内可逆三热源热泵为最优,并导出其最佳供热系数与供热率间的关系.从而阐明了热阻的存在对三热源热泵的最优性能所带来的根本性影响.所得的结论比经典热力学的结论更有实际意义.

窄缝厚鳍鱼鳍线传输特性的分析

徐善驾

1989, 7(1): 7-12.

摘要 ( 291 )

PDF (426KB) ( 53 )

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本文提出了一种适用于具有极窄槽缝,并可计及鳍厚影响的鱼鳍线传输特性的分析方法.应用这种方法对单侧和双侧鱼鳍线色散和阻抗特性的数值分析表明,该方法避免了别的数值方法在计算极窄槽缝鳍线时所遇到的收敛性问题,并证实具有快速、有效和简便的特点.

三羟甲基胺基甲烷晶体非极性轴方向电学性能的实验测量

史子康, 李征东, 苏根博

1989, 7(1): 13-18.

摘要 ( 392 )

PDF (371KB) ( 57 )

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三羟甲基胺基甲烷(TAM)晶体是一种新型极性有机晶体.本文较全面地研究了它在非极性轴方向的介电常数、损耗角正切、交直流电阻率、光透过率等有关电学性能.

一种递推的最优(LSE)反滤波方法

黄中平, 倪重匡, 谢恽

1989, 7(1): 19-24.

摘要 ( 338 )

PDF (355KB) ( 93 )

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本文提出一种获取地震波反射系数的反滤波方法.这种方法对反射系数的估计量具有最小误差方差的性质.由于这种方法是用递推、同址计算的方式实现的,因此它仅需较少的运算操作和存贮单元.

慢波型微波传感器的理论与实验研究

颜晓鸿, 张兆镗

1989, 7(1): 25-29.

摘要 ( 362 )

PDF (308KB) ( 67 )

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本文从理论上分析了介质加载的Karp型慢波线,得到了一般形式的色散方程,并利用计算机对Karp线的几何尺寸、加载介质的介电常数对其色散特性的影响进行了计算,所得结果对Karp线作为慢波型微波湿度传感器有一定的指导意义,理论和实验证明慢波型微波传感器有其独特的优点.在非电量的微波检测技术方面有较大的实用价值.

层状各向异性介质的电磁逆散射

陈小安, 章文勋

1989, 7(1): 30-34.

摘要 ( 282 )

PDF (298KB) ( 56 )

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本文研究层状各向异性介质的电磁逆散射,讨论了无耗、有耗、非均匀层状各向异性介质的特性重组问题.

Ar-Hg放电正柱中Hg6¹P₁态浓度及表面185.0nm辐照度

朱绍龙, 郑莉, 蔡祖泉

1989, 7(1): 35-40.

摘要 ( 386 )

PDF (409KB) ( 55 )

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利用辐射谱线经电离气体后的吸收,可以确定不同直径的低气压Ar-Hg放电正柱中Hg6¹P₁态的浓度.本文选用了576.96nm (6³D₂→6¹P₁)及579.07nm (6¹D₂→6¹P₁)两辐射线,各自测得Hg6¹P₁态浓度,结果符合较好.由测得的Hg6¹P₁态浓度数据,用光子扩散理论公式计算了这些不同直径的低气压Ar-Hg放电正柱内表面的185.0nm辐照度.结果表明直径10mm的细管Ar-Hg放电中的185.0nm表面辐照度比直径36mm的要高一个数量级以上,此结果解释了为什么紧凑型荧光灯(内径为10mm)必须采用耐185.0nm辐射的荧光粉.

单晶体红宝石三维内应力测定

李李泉, 范得培, 丘第荣

1989, 7(1): 41-46.

摘要 ( 311 )

PDF (1230KB) ( 69 )

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通过应用赝Kossel背射一次曝光法,测量焰熔法生长的红宝石晶体八个方向的应变量,并对与之相应的平均应变张量和应力张量进行求解,测出红宝石晶体的三维内应力.上述方法是分析单晶体应变和应力结构的一个有效方法.

钽舟真空蒸发制备高纯金属、合金和硅化物薄膜及其在大规模集成电路中的应用

张一平, 徐元森

1989, 7(1): 47-51.

摘要 ( 321 )

PDF (1020KB) ( 80 )

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本文提出以纯钽舟为电阻加热器真空蒸发高纯度Al、Cr、Si、Ti、Al-Si、TiSi等薄膜的方法,测定了这些薄膜的性质.证明钽舟蒸发薄膜具有投资省、操作简单、控制方便、产品沾污少、纯度高等优点,适合于大规模集成电路的研制.

砷化镓-氧化硅界面特性研究

盛箎, 任云珠

1989, 7(1): 52-56.

摘要 ( 314 )

PDF (376KB) ( 60 )

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本文报道了用真空蒸发法在砷化镓上淀积一氧化硅.在蒸发过程中保持砷化镓表面温度低于150℃.可获得低损伤的砷化镓-一氧化硅界面.

双离子注入增强退火效应的研究

朱锦良, 程东方, 王良, 蔡仁康

1989, 7(1): 57-60.

摘要 ( 315 )

PDF (941KB) ( 125 )

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本文介绍氩、硼离子注入的增强退火效应.四探针测试显示在500℃左右有低的薄层电阻R值,SEM观察和拉曼谱观察表明,注入区的晶格损伤得到了很好的恢复.

用直线四探针头测量金属-半导体的接触电阻率

陈存礼, 华文玉

1989, 7(1): 61-64.

摘要 ( 430 )

PDF (239KB) ( 121 )

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本文提出一种用直线四探针头测量金属-半导体欧姆接触接触电阻率的简捷方法.导出了适用于薄层半导体材料的接触电阻率表达式,经实验验证结果与线性传输线模型一致.

PbO₂/MnO₂半导体薄膜工艺与ESCA/AES研究

俞志中, 胡南山, 蔡炳初

1989, 7(1): 65-70.

摘要 ( 390 )

PDF (452KB) ( 56 )

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在PbO₂中掺MnO₂,用射频偏压溅射技术制成PbO₂/MnO₂半导体薄膜,有较好的高低温特性,用它首次制成了TLMM薄膜大容量电容器^[1].用粉末溅射法制备了纯正化学状态的MnO₂膜,已用于光电倍增管的制造.用ESCA和AES技术监测工艺过程中薄膜组分含量及化学状态,从而调整了工艺参数与靶材比率.

集成烟雾探测电路的研制

陈石龄

1989, 7(1): 71-74.

摘要 ( 339 )

PDF (257KB) ( 51 )

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本文报道了研制成功的CMOS集成烟雾探测电路.电路的主要特征是:探测端输入阻抗高,可与电离室直接连接使用;内部设置的探测覆值可通过外电阻调节;探测端两侧的有源保护有效地避免了误触发;电路内部备有驱动器.

单分子层油酸包覆Fe₃O₄的研究

曾桓兴, 周文运

1989, 7(1): 75-80.

摘要 ( 388 )

PDF (1157KB) ( 77 )

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本文提出了一种共沉淀——溶液吸附法制备单分子层油酸包覆Fe₃O₄超微粒子的方法,并采用透射电镜比表面测定,差热和热重,X光衍射和红外光谱分析等对其颗粒的形状、大小和结构作了初步探讨.提出了颗粒度和油酸吸附量的简易估算和测定方法.

蒸散型吸气剂的出现电势谱研究

邵力为, 刘洁美, 娄维鸿, 陈德森, 胡嗣安

1989, 7(1): 81-85.

摘要 ( 372 )

PDF (323KB) ( 55 )

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本文介绍运用俄歇电子出现电势谱和共振光电子与俄歇电子出现电势谱复合分析技术对蒸散型吸气剂的蒸散镜面所作的表面分析,其中主要是对不同质量吸气剂蒸散镜面的表面态作了一定比较,对吸气剂所含的杂质成分作了分析研究,并介绍了检测分析管的基本结构和检测电路方框图.这对出现电势谱在吸气剂生产上的开发应用,具有一定的实用价值.

氯乙烯-醋酸乙烯-乙烯醇共聚物分子量对磁性涂层界面粘合性的影响

王平, 黄毓礼, 裘照耀, 牛爱洁, 李琮

1989, 7(1): 86-90.

摘要 ( 328 )

PDF (1098KB) ( 66 )

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本文评价了γ-Fe₂O₃在两种不同分子量的氯乙烯-醋酸乙烯-乙烯醇共聚物-丁酮溶液中的分散性,测定了这两种共聚物与γ-Fe₂O₃的粘附张力;与聚酯薄膜的剥离强度.从实验上验证并从理论上说明了分子量为3.4万的共聚物有利于改善磁性涂层的界面粘合性.

器件钝化中的应力中心和应力补偿效应

李丹之

1989, 7(1): 91-94.

摘要 ( 361 )

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半导体器件的表面钝化是器件自身的稳定性和可靠性所必需.然而器件衬底和表面氧化膜之间常因热学性质不匹配而产生较大的应力,如高温氧化后的硅片中的张应力^[1].由于Si-SiO₂界面的应力增加了结构内部的缺陷,使器件的电流增益β明显下降.

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